NAND閃存芯片進入革新時代 傳英特爾將與意大利達成50億美元投資協(xié)議
2022-08-08 08:25:07|
來源：前瞻網(wǎng) 作者：
NAND閃存芯片進入革新時代
近日，美光和SK海力士相繼官宣，其NAND閃存芯片對堆疊層數(shù)突破200層限制。其中，美光的閃存芯片由232層存儲單元組成，數(shù)據(jù)傳輸速度將比其上一代176層的芯片快50%，且封裝尺寸比前幾代產(chǎn)品還要小28%，預計2022年底開始量產(chǎn)232層NAND;而SK海力士的閃存芯片由238層存儲單元組成，數(shù)據(jù)傳輸速度和功率比上一代提高了50%，讀取數(shù)據(jù)消耗的能量也減少了21%，預計2023年上半年開始量產(chǎn)。
傳英特爾將與意大利達成50億美元投資協(xié)議
路透社報道，兩位知情人士透露，英特爾將在意大利建立一座先進半導體封裝和組裝廠，最初投資金額約50億美元。報道指出，此次在意大利投資，是英特爾年初宣布的歐洲投資計劃一部分。當時，英特爾宣布將在歐洲投資約880億美元擴大產(chǎn)能。目前，英特爾正在努力降低對亞洲芯片進口的依賴，并舒緩供應緊缺。
