LTC4366浪涌抑制器工作原理詳解
LTC4366浪涌抑制器可保護負載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個外部N溝道MOSFET的柵極，LTC4366可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在MOSFET兩端承載過壓的情況下，負載可以保持運作狀態(tài)。在返回線路中布設(shè)一個電阻器可隔離LTC4366，并允許其隨電源向上浮動；因此，輸出電壓的上限僅取決于高值電阻器的可用性和MOSFET的額定規(guī)格。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/258534.htm一個可調(diào)的過壓定時器能在浪涌期間避免損壞MOSFET，而一個附加的9s定時器則為MOSFET提供了冷卻周期。停機引腳負責在停機期間將靜態(tài)電流減小至14A以下。在 一個故障發(fā)生之后，LTC4366-1將鎖斷，而LTC4366-2則將執(zhí)行自動重試操作。
LTC4366引腳圖
引腳功能：
BASE：用于外部PNP并聯(lián)穩(wěn)壓器的基極驅(qū)動器輸出。該引腳連接至一個內(nèi)部6.2V齊納二極管(其負極接至OUT引腳) 的正極。在期望較低的靜態(tài)電流但禁止使用一個較大的VSS電阻器時，將一個外部PNP的基極連接至該引腳 (此PNP 的集電極接地，而發(fā)射極則連接至 VSS)。不用時 把該引腳連接至 VSS。裸露焊盤：裸露襯墊可以置于開路狀態(tài)或連接至 VSS。
FB：過壓調(diào)節(jié)放大器反饋輸入。把該引腳連接至一個位于OUT和地之間的外部阻性分壓器。過壓調(diào)節(jié)放大器負責控 制外部N溝道MOSFET的柵極，以把FB引腳電壓調(diào)節(jié)在OUT以下1.23V。在發(fā)生快速過壓的情況下，過壓放大器將啟動 GATE引腳上的一個200mA下拉電流源。
GATE：用于外部N溝道MOSFET的柵極驅(qū)動。在啟動期間，一個內(nèi)部7.5 A電流源從VDD引腳對外部N溝道MOSFET的柵極充電。當OUT電壓高出VSS達4.75V時，充電泵將完成GATE的充電(比OUT高12V的電壓)。在發(fā)生快速過壓的情況下，先啟動一個位于GATE和OUT之間的200mA下拉電流源，然后由過壓調(diào)節(jié)放大器來調(diào)節(jié)GATE引腳電壓。
O U T ：充電泵和過壓調(diào)節(jié)放大器電源電壓。用于從MOSFET源極供電的浮動電路之電源輸入。當OUT電壓高于 4.75V (UVLO2) 時，充電泵將接通并從該引腳吸取功率。當OUT超過2.55V(UVLO1)時，它被用作過壓調(diào)節(jié)放大器的一個電源和基準輸入。此引腳被箝位于5.7V并 需要一個0.22 F或更大的電容器以旁路至VSS引腳。
SD：停機比較器輸入。不用時將此引腳連接至 VDD。把該 引腳連接至一個受限的下拉電流 (此電流通過增設(shè)一個 與晶體管漏極開路或集電極開路相串聯(lián)的電阻器產(chǎn)生)。 啟動外部下拉電流源將抽走內(nèi)部 1.6 A 上拉電流源，可以 使SD引腳電壓越過停機門限。該門限被定義為 VDD– 1.5V，且具有一個 280mV 遲滯。為避免誤觸發(fā)，該引腳 必須持續(xù)處于上述門限以下達700 s以啟動停機狀態(tài)。停機狀態(tài)可把總靜態(tài)電流 (IVDD+ IOUT) 減小至20A 以下。 該靜態(tài)電流不包括 VDD、OUT 和BASE穩(wěn)壓器中的分路電流。在LTC4366發(fā)生故障之后，器件置于停機模式并將清除故障和允許恢復工作。在9s的冷卻周期中清除故障將可縮短LTC4366-2(自動重試)版本的冷卻時間。
TIMER：定時器輸入。將該引腳置于開路，過壓調(diào)節(jié)時間1s，然后故障關(guān)斷。在該引腳和VSS之間連接一個電容器，以設(shè)定一個用于在開關(guān)斷開之前進行過壓調(diào)節(jié)時間278ms/F。LTC4366-2版本固化一個9s的冷卻周期并后重新起動。
VDD：啟動電源。用于7.5 A啟動電流源(它負責給外部N溝道MOSFET的柵極充電)的電源輸入。該引腳還用于為在外部MOSFET關(guān)斷時處于運行狀態(tài)的定時器和邏輯電路供電。此引腳被箝位在VSS+12V。不要使用一個電容器對該引腳進行旁路。
VSS：器件回線和襯底。TIMER和OUT引腳上的電容器應(yīng)回接至該引腳。
簡化示意圖
工作原理
簡化示意圖描繪了三種操作狀態(tài)：起動、運行和調(diào)節(jié)模式。先前的浪涌抑制器件由輸入電源供電，因此所能承受 的浪涌電壓被限制為器件輸入引腳的擊穿電壓。如運行模 式和調(diào)節(jié)模式所示，該器件的大部分電路都由輸出供電， 于是MOSFET將浪涌與器件的電源引腳隔離開來。這允許用于浪涌電壓高至外MOSFET的擊穿電壓。在起動模式中，一個15A涓流電流流過RIN，其中一半的電流用于給柵極充電，而另一半電流則用作偏置電流。當GATE引腳充電時，外部MOSFET導通從而上拉OUT引腳電壓。這將導致器件進入運行模式，此時輸出電壓之高足以成為充電泵的電源電壓。充電泵隨后用于對柵極進行充分的充電 (達到高于源極電壓達12V)。由于輸出電壓等于輸入電壓，因此有必要保護負載免遭輸入電源過壓的損壞。在調(diào)節(jié)模式中，使用一個1.23V 基準作為過壓調(diào)節(jié)放大器參考。如果上方反饋電阻器 RFB1兩端的電壓降超過1.23V，則調(diào)節(jié)放大器將拉低柵極電壓以把 RFB1電壓回調(diào)至1.23V。因此，輸出電壓的箝位通過設(shè)定RFB1和RFB2之間的適當比值來實現(xiàn)。
例如：倘若輸出電壓被調(diào)節(jié)在100V，則RFB2兩端的電壓降為98.77V。假如齊納二極管Z3為5.7V，那么RSS兩端的電壓降為94.3V。因此，當輸出位于一個高電壓時，大部分的電壓將降落在兩個電阻器RFB2和RSS的兩 端。這說明了 LTC4366的輸出電壓是怎樣隨電源向上浮動的?？烧{(diào)型三端穩(wěn)壓器 (例如：LT1085和LM117) 也基于這種設(shè)計思想。功能示意圖描繪了實際的電路。VDD引腳上的一個外部RIN電阻器用于給12V并聯(lián)穩(wěn)壓器加電，該穩(wěn)壓器隨后使 邏輯電源VCC上電。在確認處于開機運行狀態(tài)之后，從VDD以一個7.5 A電流來給GATE引腳充電。這是起動模式。當OUT至VSS電壓超過2.55V UVLO1門限時，啟用過壓放大器。接著，4.75V UVLO2門限被越過，充電泵接通。充電泵以 20 A 的電流將 GATE 引腳充電至其終值，即高于OUT電壓達12V(由 Z4 對其實施箝位)。這使得 能夠?qū)ξ挥?OUT 和 VSS之間的電容器進行充電，直到被 Z3 箝位至 5.7V 為止。在此運行模式中，MOSFET被配置為一個低電阻傳輸晶體管，而且MOSFET中的電壓降和功率耗散極少。
此時，上電后的LTC4366做好了保護負載免遭過壓瞬變 損壞的準備。過壓調(diào)節(jié)放大器通過檢測FB引腳相對于OUT 引腳的電壓 (RFB1兩端的壓降) 來監(jiān)視OUT和地之間的負載電壓。在過壓情況下，OUT引腳電壓上升，直到放大器驅(qū)動M1柵極以調(diào)節(jié)和限制輸出電壓為止。這是調(diào)節(jié)模式。
在調(diào)節(jié)期間，剩余的電壓降落在MOSFET的兩端。為防止MOSFET發(fā)生過熱，LTC4366采用TIMER引腳來限制過壓調(diào)節(jié)時間。TIMER引腳以9A的電流充電，直到該引腳的電壓超過2.8V為止。在該點上設(shè)定一個過壓故障，MOSFET被關(guān)斷，而且器件進入一個9秒的冷卻周期。邏輯和定時器模塊在冷卻周期中處于運行狀態(tài)，而GATE引腳電壓則被拉至OUT。
在SD引腳變換至低電平并隨后變換至高電平之前，該器 件的鎖斷版本 LTC4366-1 將處于故障模式。當故障模式 被清除時，允許GATE重新接通MOSFET。自動重試版本LTC4366-2則在等待9秒之后清除故障模式并重新起動。
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