賽晶科技發(fā)布車規(guī)級HEEV封裝SiC模塊
2023-08-31 17:54:56|
來源：上海證券報·中國證券網(wǎng) 作者：
(資料圖片僅供參考)
賽晶科技8月31日在官方微信發(fā)布，8月30日上午，在PCIM Asia展的電力電子應(yīng)用論壇中，公司旗下賽晶半導(dǎo)體正式發(fā)布車規(guī)級HEEV封裝SiC（碳化硅）模塊，并做主題報告《高效高可靠新型封裝車規(guī)級SiC功率模塊》。
賽晶科技表示，為電動汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25），可用于高達250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
作為一種更高功率密度的新型封裝工藝，采用HEEV封裝的SiC模塊，其體積和連接阻抗僅為其他頭部企業(yè)相同規(guī)格模塊的50%，且產(chǎn)品具有極低內(nèi)部雜散電感，是一種可直接水冷的高可靠性壓注封裝，具有高環(huán)境友好性和高功率循環(huán)壽命。
此次發(fā)布會上，賽晶科技還展示了賽晶半導(dǎo)體第二款SiC模塊–EVD封裝SiC模塊。該款產(chǎn)品采用乘用車領(lǐng)域普遍采用的全橋封裝，通過內(nèi)部優(yōu)化設(shè)計具有出色的性能表現(xiàn)。與業(yè)界頭部企業(yè)相同規(guī)格封裝模塊對比，賽晶EVD封裝SiC模塊的導(dǎo)通電阻低10%至30%，連接阻抗低33%，開關(guān)損耗相近或者更低（相同開關(guān)速度）。
（文章來源：上海證券報·中國證券網(wǎng)）
標(biāo)簽：
